Тайваньская компания APEC внедряет инструменты TCAD от Silvaco
Компания Silvaco объявила о заключении стратегического партнёрства с фирмой Advanced Power Electronics Corp. (APEC), которая занимается разработкой силовых устройств на базе кремния и карбида кремния. Это две тайваньские компании. По условиям этой сделки APEC взяли на себя долгосрочные обязательства по использованию пакета инструментов моделирования Silvaco для ускорения разработки устройств SiC следующего поколения. Используются в возобновляемой энергетике, а также автомобильной индустрии.
Специалисты APEC планируют использовать в своей работе три платформы Silvaco.
- Victory Devic. Это 2D-симулятор для моделирования полупроводниковых процессов и устройств;
- Связывает выходные данные TCAD с моделями на уровне схем;
- Это симулятор SPICE, который используется для параметризации устройств и проектирования схем.
Эти платформы поддерживают совместную оптимизацию проектирования и технологий (DTCO). DTCO представляет собой итеративное моделирование физических параметров устройств и технологических параметров. DTCO обеспечивает необходимую производительность схем на системном уровне для достижения целевых параметров. При этом не требуется увеличение производственных циклов.
SiC моделирование в TCAD является практической необходимостью, поскольку работает при более высоких электрических полях и более широких запрещенных зонах, чем кремний. Это затрудняет эмпирическое прогнозирование физических процессов в устройствах. Кроме того, стоимость итераций на уровне пластины становится весьма значительной. А моделирование дает возможность оптимизировать сопротивление в открытом состоянии, поведение при переключении, напряжение пробоя. После этого инженеры могут принять решение по корректировке технологического процесса.
Президент APEC, д-р CS Чанг отметил, что решения Silvaco являются неотъемлемой частью процесса проектирования. Это позволяет исследовать сложную физику устройств и оптимизировать наши технологии SiC. Сочетание Victory Device, SmartSpice, Gateway предоставляет комплексное решение позволяющее устранить разрыв между проектированием схем и разработкой технологии их производства.
Диоды Шоттки и SiC MOSFET стали стандартом для высокоэффективных инверторов к электромобилям и зарядных устройств постоянного тока. Там низкие потери при переключении и более высокая частота работы прямо влияют на снижение веса и уменьшение размеров силовой электроники.












